300GHz~1Hz(超高周波/ミリ波/マイクロ波/超低周波)のキーコム
ご要望に応じて少量から設計・製作・測定 致します。

MOSFET構造半導体空乏層およびゲート電極直下誘電体膜
比誘電率(εr')測定装置・システム

Model No. DPS48
空乏層の誘電率も測定可能! 
MOSFET構造半導体空乏層およびゲート電極直下誘電体膜 の比誘電率を測定するシステムです。
絶縁膜の厚み、およびドーピング濃度が必要です。 ※バイアス使用

仕様

測定周波数対応範囲 20Hz ~ 2MHz
※機種により異なる
測定の範囲および精度 比誘電率:1.05-1000   精度±3%~7% (LCRメータ機種および測定環境に依存する)
*LCRメータ機種例
基本測定確度 0.05%
AC振幅電圧 5mV-2Vrms
DCバイアス電圧 +-40V
インピーダンス測定範囲 1mΩ-100MΩ
キャパシタンス測定範囲 1pF-0.01F

測定可能温度(対応ジグを使用) 10k~200℃ 
※詳細はお問い合わせください。
※キーコムの超低温用製品のノウハウを活かし、10K~の低温用クライオスタットをご用意しております。
-測定は自動で行います。
-電極構造を工夫することにより、100MHzまでの測定が可能です。

オーダー情報 - 部品番号(もしくはご要望) をお知らせください

部位 仕様 周波数範囲 部品番号
静電容量計(本体) 20Hz-2MHz用
その他ご要望にあわせてご提案いたします。
- CME-20Hz-2MHz
測定用電極
※温度変化をご希望の場合にはお知らせください
半導体用測定電極 1цHz ~ 2MHz DPT-009
誘電率解析プログラム excel処理可能 - DMP-002040705-05
USBタイプGPIBカード コンピュータと測定器の接続に使用いたします。 - GP-01
パーソナルコンピュータ Windows対応 - -
恒温槽 ご希望をお知らせください。ご要望にあわせてご提案いたします。 - TCOV-03
恒温槽制御プログラム - - DMP-x

測定結果

測定結果はコンピュータで計算処理され、上記のようなグラフとしてプリントアウトされます。
また、数値もファイル化され、EXCEL等で各種の加工ができます。

試料形状および測定用電極構成

DPT-009
180mm height    注)ケーブル付
試料形状 大きさ・量
シート ご相談ください。